Projet de fin d'étude : Effets de l’irradiation sur les semi-conducteurs – cas du GaAs –

Etudiant : YOUNSSI TARHZOUTI MOUAD

Filière : LF SMP - Option Matériaux

Encadrant : Pr. JORIO ANOUAR

Annèe : 2022

Résumé : Dans un premier temps nous présenterons les propriétés et les caractéristiques du matériau sur lequel nous allons étudier l’effet de l’irradiation (cas de GaAs), et nous parlerons aussi brièvement de l’environnement radiatif spatial. Dans cette partie, on va aussi décrire les irradiations qui ont été effectuées sur des échantillons de GaAs dopé au silicium de type n. Dans le deuxième chapitre de ce mémoire (Chapitre II), nous présenterons un résumé de quelques modèles théoriques généralement utilisés pour étudier les dommages de déplacements créés par l’irradiation dans les semi-conducteurs, après on essayera de discuter de la méthode de caractérisation qui a été utilisée pour analyser et vérifier expérimentalement ces modèles théoriques concernant l’effet de l’irradiation sur nos échantillons. Les résultats de cette vérification seront présentés dans le chapitre suivant (Chapitre III). Dans lequel nous exposerons et nous analyserons tout d’abord l’effet de l’irradiation avec les neutrons de 1 MeV, et aussi avec les autres types d’irradiations. À la lumière de ces résultats, nous allons définir le taux d’introduction du VGa ou du SiAs introduits par une particule irradiante donnée à une énergie donnée. Dans une deuxième partie de ce même chapitre, une discussion générale de ces résultats sera présentée, elle sera effectuée à l’aide de la partie théorique que nous avons présentée dans le (Chapitre II). Pour terminer, nous donnerons bien sur une conclusion générale de ce travail. Mot clés : les effets de l’irradiation ; dommage de déplacement ; photoluminescence ; NIEL ; TRIM ; GaAs