Etudiant : BRIGHAL AHMED

Filière : Master Physique des Nouveaux Matériaux et Energies Renouvelables (PNOMER)

Encadrant : Pr. ZORKANI IZEDDINE

Annèe : 2022

Résumé : Pour étudier la dynamique des dislocations dans un échantillon modèle, une tranche de Si à zone flottante intrinsèque (FZ) est choisie comme germe pour initier la solidification directionnelle. Pendant la rampe de température, un spot de diffraction de Von Laue est enregistré par une caméra. Il fournit des informations résolues dans le temps sur l'évolution de la qualité cristalline du silicium et sur les emplacements et la dynamique de nucléation des défauts. Avec l'augmentation de la température, on observe que les dislocations se propagent à travers la graine en partant principalement des bords de l'échantillon.