Le Doyen de la Faculté des Sciences Dhar El Mahraz - Fès tient à féliciter les auteurs pour la publication de leur nouvel article intitulé : Impurity-related photovoltaic efficiency of (In,Ga)N/GaN quantum well-single intermediate band solar cell considering heavy hole impact
Auteurs : Hassan Abboudi a, Haddou El Ghazi a,b,*, Anouar Jorio a, Izeddine Zorkani a
Publié en : 2020
Publié dans : Superlattices and Microstructures
Laboratoires : Laboratoire de Physique de Solide