Etudiant : GUEMMAH OUMAYMA

Filière : LF SMP - Option Electronique

Encadrant : Pr. BENZAKOUR NAJIB

Annèe : 2023

Résumé : La spintronique (ou électronique de spin) est sujet en plein d´développement à travers le monde. Alors que l’électronique classique est basée sur le contrôle de courants de charge, l’électronique de spin manipule des courants de spin en exploitant l’influence du spin sur le transport électronique dans des nanostructures magnétiques associant matériaux magnétiques et non-magnétiques. Le caractère (nano) des structures est impose par les longueurs d’´échelle en jeu, ce qui explique que le d´développement de la spintronique a été intimement lié au progrès des nanotechnologies. La première manifestation d’effet de spintronique a été la magnétorésistance géante ou GMR, d´découverte en 1988. Dans des multicouches alternant un métal magnétique, un changement de résistance important est observé lorsque les aimantations des couches magnétique successives basculent d’un ´état antiparallèle en champ nul `a un état parallèle aligné en champ appliqué. Des structures artificielles plus complexes, appelées vannes de spin, permettent un effet de magnétorésistance géante dans des champs très faibles. Aujourd’hui, la quasi-totalité de la production des tètes de lecture/´écriture pour disques durs (1 milliard de tètes par an) est constituée de tètes `a GMR. Les applications comme capteurs de champ pour l’automobile et l’aéronautique sont ´également en plein essor. Un effet de magnétorésistance semblable `a la GMR, appelé magnétorésistance tunnel ou TMR, est observé dans des jonctions tunnel (métal ferromagnétique/isolant/métal ferromagnétique). On observé aussi une variation importante de la résistance lorsque les directions relatives des aimantations des couches ferromagnétiques varient. La forte variation de magnétorésistance et l’impédance ´élevée (de 0.1 `a 100Komega) ont conduit au d´enveloppement de mémoires à accès aléatoire non volatiles (MRAM-Magnetic Radom Access Memories)