Etudiant : NAGM AMINA

Filière : Master Physique des Nouveaux Matériaux et Energies Renouvelables (PNOMER)

Encadrant : Pr. JORIO ANOUAR

Annèe : 2023

Résumé : Dans cette étude, nous nous sommes concentrés sur les propriétés optoélectroniques d'un simple puits quantique GaN/InGaN, en examinant l'influence de la taille de la structure et de la composition d'In sur l'énergie de transition et le coefficient d'absorption. Pour obtenir des résultats réalistes, nous avons résolu l'équation de Schrödinger en utilisant la méthode des différences finies, en prenant en compte un potentiel de confinement fini. Ces analyses nous ont permis de sélectionner de manière avisée les paramètres de notre structure, en identifiant notamment les zones où notre dispositif absorbe davantage de lumière. Ensuite, nous avons évalué les performances de notre cellule solaire PIN par le logiciel Silvaco-Atlas (TCAD) en utilisant l'irradiation AM1.5. Afin de confirmer la validité de nos résultats, nous les avons comparés à d'autres recherches similaires. Cette étude approfondie sur les performances d'une cellule solaire PIN basée sur le matériau GaN/InGaN représente une contribution significative dans le domaine de l'énergie solaire. Les résultats obtenus peuvent être exploités afin d'améliorer l'efficacité énergétique des dispositifs photovoltaïques utilisant le GaN/InGaN, qui présente des propriétés optiques et électriques remarquables. Ces dispositifs se révèlent particulièrement prometteurs dans ce domaine.