Etudiant : YOUNSSI TARHZOUTI MOUAD

Filière : Master Physique des Nouveaux Matériaux et Energies Renouvelables (PNOMER)

Encadrant : Pr. SALI AHMED

Annèe : 2024

Résumé : Ce mémoire se concentre sur l'optimisation des cellules solaires à base de nitrure de gallium-indium (InGaN) en utilisant une structure de jonction PN simple. En tirant parti des travaux antérieurs, une nouvelle conception avec In₀.₇Ga₀.₃N atteint une efficacité record de 31,154 %. Les simulations à l'aide de SCAPS-1D montrent une Voc de 0,929619 V, une Jsc de 38,695689 mA/cm² et un FF de 87,104 %, confirmant une absorption efficace des photons sur une large gamme de longueurs d'onde.