Etudiant : OU-MOULAY JAMAL

Filière : Master Physique des Nouveaux Matériaux et Energies Renouvelables (PNOMER)

Encadrant : Pr. SALI AHMED

Annèe : 2026

Résumé : Ce travail porte sur la caractérisation électrique et la simulation numérique des contacts métal-semi-conducteur à base de phosphure d’indium (InP). Deux structures sont étudiées : un contact ohmique Ti/n-InP et une jonction Schottky Pd/p-InP. À partir des mesures courant tension (I–V ) et capacité-tension (C–V ), les paramètres électriques fondamentaux ont été extraits. Pour le contact Ti/n-InP, un comportement ohmique est confirmé avec une résis tance de contact R ≈ 66,2 Ω. Pour la jonction Pd/p-InP, les mesures ont fourni un facteur d’idéalité n = 3,29, un courant de saturation Is = 2,04 × 10^−9 A, une hauteur de barrière ΦB = 0,83 eV, une tension de diffusion Vd = 0,46 V et une concentration de porteurs Na = 2,71 × 10^14 cm^−3. Des simulations numériques réalisées sous SILVACO ATLAS ont reproduit qualitativement ces comportements, avec des paramètres simulés (n = 1,09, ΦB =0,62 eV, Na ≈ 10^17 cm^−3) proches des valeurs théoriques. Les écarts observés entre expérience et simulation sont attribués à la présence d’états d’interface réels non entièrement reproduits par le modèle numérique.