Etudiant : BOUTAHRI ASMAE

Filière : Master Physique des Nouveaux Matériaux et Energies Renouvelables (PNOMER)

Encadrant : Pr. SALI AHMED

Annèe : 2026

Résumé : Le présent travail est consacré à l'étude et l'optimisation d'une cellule solaire hétérojonction pn à base d'InGaAs/InP via le logiciel SILVACO-ATLAS. Premièrement, l'étude porte sur les propriétés optiques et électroniques du matériau InGaAs. Deuxièmement, on a opté pour la conception de la structure de la cellule solaire à base du matériau InGaAs. Les caractéristiques électriques calculées d'une cellule solaire pn pour différentes valeurs de x sont : la caractéristique courant-tension (J-V), la caractéristique (P-V) et la réponse spectrale sous éclairement AM1.5. Au début, on a commencé notre étude des performances de la cellule solaire pour la gamme de x appartenant à (0,30 à 0,40) ; elle présente plus d'améliorations dans ses caractéristiques photovoltaïques avec une valeur optimale en x=0,35. Puis on a étudié l'impact de l'épaisseur de la base et de l'émetteur sur les performances photovoltaïques de notre cellule solaire. Les résultats obtenus montrent que pour améliorer le rendement de la cellule solaire à base d'InGaAs, il est préférable d'essayer d'augmenter l'épaisseur de la base ou de l'émetteur, ou de modifier le pourcentage d'indium In.