Projet de fin d'étude : THYRISTOR

Etudiant : ECH-CHOUIKY MOHCINE

Filière : LF SMP - Option Electronique

Encadrant : Pr. SLAOUI KHADIJA

Annèe : 2019

Résumé : Le thyristor est un composant électronique semi-conducteur à trois bornes composé de quatre couches de silicium dopées alternativement par des accepteurs (P) et des donneurs (N). La structure en couches P-N-P-N du thyristor peut être modélisée par deux transistors PNP et NPN connectés selon le schéma ci-dessous. Les deux bornes principales : l'anode et la cathode, se situent de part et d'autre des quatre couches. La troisième borne, appelée gâchette, sert à commander le thyristor. Elle est reliée à la couche P près de la cathode. On peut modéliser le fonctionnement d'un thyristor par deux transistors bipolaires connectés de manière à former une bascule: Modélisation physique et électronique d'un thyristor, ainsi que son symbole. En suivant la convention récepteur on peut définir : •Vak tension entre l'anode et la cathode du thyristor ; •Vgk tension entre la gâchette et la cathode ; •Iak courant considéré comme positif lorsque traversant le thyristor de l'anode vers la cathode ; •Igk courant considéré comme positif lorsque rentrant sur la gâchette. Figure 1 : Schéma des couches et des jonctions d'un thyristor. Un thyristor a trois états possibles : 1. Tension négative, thyristor bloqué : Vak est négatif, comme une diode dans ce cas, il est bloqué ;